인텔이 하이(High)-NA 극자외선(EUV) 노광장비를 업계 최초로 도입해 1㎚(나노미터·10억분의 1m)대 공정 기술 선점에 나선다. EUV는 웨이퍼에 반도체 회로를 새겨넣는 첨단 공정 장비다.

인텔 파운드리는 미국 오리건주 힐스보로에 있는 반도체 공장 클린룸에 하이-NA EUV 장비(트윈스캔 EXE:5000)를 설치, 조립을 완료했다고 19일 밝혔다.

네덜란드 반도체 장비 기업 ASML이 만든 하이-NA EUV는 기존 EUV 대비 1.7배 작은 회로를 그릴 수 있다. 반도체 집적도도 2.9배 향상할 수 있고, 회로를 인쇄하는 시간을 단축할 수 있을 것으로 전망된다.
인텔은 장비 조정 과정을 거쳐 1.8나노 공정에 해당 장비를 투입할 예정이다. 앞서 인텔은 올 연말부터 1.8나노 공정을, 2027년에는 1.4나노 공정 양산을 시작하겠다는 로드맵을 공개한 바 있다.

마크 필립스 인텔 펠로우는 "하이-NA EUV 도입으로 인텔은 업계에서 가장 다양한 노광 장비를 보유하게 됐다"며 "2025년 이후 인텔 1.8나노를 넘어 미래 공정을 추진할 역량을 갖추게 됐다"고 밝혔다.

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