'SK하이닉스 핵심기술 中 유출' 협력사 부사장 징역 1년 6개월 확정

SK하이닉스의 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 협력사 부사장에 대한 실형이 확정됐다.

대법원 1부(주심 신숙희 대법관)는 12일 오전 산업기술보호법 위반 등 혐의로 기소된 SK하이닉스 협력업체 부사장에 대해 징역 1년 6개월을 선고한 원심판결을 확정했다.

부사장 A 씨 등 SK하이닉스와 협업하던 협력업체 임직원들은 지난 2018년 8월부터 2020년 6월까지 반도체 관련 국가 핵심기술과 첨단기술을 중국 경쟁업체에 유출한 혐의로 기소됐다.

유출된 기술은 HKMG(High-K Metal Gate) 반도체 제조 기술과 반도체 세정 레시피 정보 등 10나노급 D램 반도체 제조 공정의 핵심 기술이다.


이들은 또한 삼성전자 자회사인 세메스의 전직 직원들을 통해 얻은 초임계 세정 장비 도면 등을 활용해 중국 수출용 장비 개발을 시도한 혐의도 받는다.

1심에서 징역 1년을 선고받은 A 씨는 2심에서 징역 1년 6개월을 선고받았다. 법인은 벌금이 4억 원에서 10억 원으로 가중됐다. 1심에서 집행유예를 받은 다른 임직원 3명도 2심에서 실형을 선고받았다.

대법원은 A 씨 및 소속 임직원 5명에 대한 상고심에서 검사와 피고인 측의 상고를 모두 기각하고 원심을 확정했다.

대법원은 "원심 판단에 공모공동정범, 압수수색절차의 적법성 및 증거능력 등에 관한 법리를 오해한 잘못이 없다"고 밝혔다.

ddakbom@news1.kr