숭실대학교는 이웅규 신소재공학과 교수 연구팀이 차세대 DRAM 메모리 소자의 성능 향상에 기여할 수 있는 신규 박막 공정 기술을 개발했다고 17일 밝혔다.

연구팀은 차세대 컴퓨터 성능을 좌우하는 DRAM 메모리의 핵심 부품인 커패시터 성능을 향상시키기 위해 원자층증착(ALD) 기반 박막 공정 기술을 제시했다.

특히 ALD 공정에서 박막이 형성되는 초기 단계의 계면 반응과 산화 거동을 정밀하게 제어하는 공정 전략을 통해 기존에 커패시터 성능 저하의 원인으로 지목돼 온 불필요한 계면 산화층 형성을 효과적으로 억제했다.

그 결과 메모리 소자의 누설전류 특성과 전기적 안정성이 개선됐으며, 차세대 DRAM 미세화 공정에서 중요한 박막 증착 기반 계면 제어 기술을 제시한 연구 성과로 평가되고 있다.

이번 연구 결과는 재료과학 분야의 세계적 학술지 '머티리얼즈 호라이즌스'(Materials Horizons, IF 10.7)에 게재됐으며, 해당 호의 인사이드 프론트 커버 논문으로 선정됐다.

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