왼쪽부터 고려대 전기전자공학부 신창환 교수(교신저자), 김준석 학생(제1저자) 외 참여 연구진(사진 제공=고려대)
연구팀은 차세대 메모리 소자의 집적도와 성능을 획기적으로 높이는 기술을 개발했다. 고려대는 “반도체 개발의 핵심 과제인 초미세·저전력·고효율 등 세 마리 토끼를 동시에 잡을 수 있게 됐다”고 평가했다.
반도체 크기가 작아질수록 유전율이 높은 소재가 필수적이다. 연구팀은 핵심 대체 소재로 꼽히는 하프늄 산화물에 지르코늄(Zr)을 결합한 HZO 연구에 천착해 왔다. HZO는 기존 부품에 손상을 주지 않으면서도 작은 공간에 더 많은 데이터를 안정적으로 담을 수 있는 차세대 초 고유전율 소재다.
HZO는 서로 다른 내부 결정형이 한쪽으로 치우치지 않고 공존하는 ‘상경계’일 때 성능이 극대화된다. 다만 이는 매우 불안정한 상태라 이를 안정적으로 구현하는 것이 학계의 오랜 과제였다.
연구팀은 강유전체와 반강유전체를 연속으로 증착한 ‘조성 비대칭 이중층’ 구조에서 답을 찾았다. 이 구조의 커패시터에 전기장 처리를 가했을 때 소자가 스스로 최적의 상태를 찾아가며 성공적으로 안정화됐다.
저전력·고효율 구동의 가능성도 완벽히 입증했다. 기존 ‘단일층 HZO 커패시터’는 최대 유전율을 끌어내기 위해 3V 이상의 높은 전압이 필요했지만, 연구팀이 개발한 ‘이중층 HZO 커패시터’는 동일한 두께에서 2V의 저전압에서 세계 최고 수준인 약 52의 높은 유전율을 달성했다. 아울러 상용 제품 구현을 위한 10억 번 이상의 전기장 사이클링 후에도 성능 저하 없는 우수한 내구성을 보였다.
이번 연구는 산업통상부 반도체 전략 고도화 기술개발 사업 등의 지원을 받아 수행했다. 연구 결과는 저명 국제 학술지(Advanced Science) 2월 9일 자에 게재됐다.
신창환 교수는 “반도체 미세화의 한계를 소재 혁신으로 돌파했고, 메모리가 스스로 최적 상태를 찾아가게 만든 것이 핵심 기술”이라며 “이번 연구 성과는 차세대 초미세 DRAM 및 저전력 연산 소자의 핵심 기술로 활용될 가능성이 매우 크다”고 설명했다.
