김동원 KB증권 연구원은 “4분기 현재 D램 공급 부족이 심화되고 있는 가운데, 삼성전자가 1z D램 이하 레거시 생산라인을 1b D램으로 공정 전환할 것으로 예상돼 내년 D램 비트 출하량 개선을 통한 실적 서프라이즈가 기대된다”고 밝혔다.
김 연구원은 “특히 전체 D램 캐파의 70%를 범용 D램 생산에 할당하고 있는 삼성전자는 내년 DDR5 마진이 HBM3E를 상회할 것으로 보여 범용 D램 공급 부족의 최대 수혜가 기대된다”며 “2027년까지 D램 시장이 공급자 우위로 재편되며 삼성전자는 적어도 향후 2년간 범용 D램과 HBM의 가격 협상력을 동시에 높일 전망”이라고 했다. 이어 “따라서 2026년 삼성전자 D램 영업이익은 전년대비 2.3배 증가한 60조원에 이를 것으로 예상된다”고 덧붙였다.
그는 “2026년 엔비디아 루빈 탑재의 삼성전자 HBM4는 현재 양호한 생산 수율과 제품 양산이 이뤄지고 있어 향후 엔비디아 품질 인증 과정도 순조롭게 진행될 것으로 예상된다”고 밝혔다.
김 연구원은 “삼성전자 HBM4는 1c D램과 4nm 로직다이를 적용해 엔비디아 HBM4에서 최고 속도와 저전력 성능을 동시 구현해 공급사들 중에서 가장 높은 단가 책정이 기대되고, 향후 재설계가 필요 없는 것으로 판단되어 엔비디아가 요구하는 스펙 상향과 물량 확대를 동시에 충족 시켜줄 것으로 전망된다”며 “2027년 양산 예정인 HBM4E의 경우 속도 상향과 생산성 개선을 위해 1c 공정을 필수 적용해야 하는 만큼 삼성전자는 평택 P4 공장에서 1c D램 캐파 증설만을 통해 선제적 대응이 가능하기 때문”이라고 했다.
이어 “특히 2026년 HBM 출하량은 전년대비 2.5배 증가할 것으로 예상돼 내년 영업이익은 전년대비 108% 증가한 82조원으로 사상 최대 실적 달성이 전망된다”며 “따라서 삼성전자는 HBM과 범용 D램의 동시 수혜로 향후 D램 실적 서프라이즈가 기대된다”고 밝혔다.
젠슨 황 엔비디아 최고경영자와 이재용 삼성전자 회장이 30일 서울 코엑스에서 열린 엔비디아의 그래픽카드(GPU) ‘지포스’ 출시 25주년 행사에서 단상에 올라 있다. (사진=연합뉴스)
