[이데일리 신하연 기자] 혼성신호 반도체 팹리스 기업 아이언디바이스(464500)가 전기자동차용 차세대 전력반도체 기술 개발 국책과제에 참여하며 GaN(질화갈륨) 기반 파워모듈 시장 공략에 나선다.

아이언디바이스는 ‘전기자동차용 구동회로 내장형 파워모듈 기술 개발’ 국책과제의 공동연구개발기관으로 선정됐다고 16일 밝혔다.

이번 과제는 세미파워렉스가 주관하고 한국자동차연구원, 한국전자기술연구원(KETI), 서울대·한양대 산학협력단 등이 함께 참여하는 컨소시엄 형태로 진행된다. 총 사업비는 83억4000만원이며 연구개발 기간은 2029년 말까지 약 45개월이다.

과제의 목표는 ‘구동회로 내장형 Full-Bridge 650V GaN 모듈’ 개발이다. 아이언디바이스는 이 가운데 핵심 부품인 ‘2.5kV 듀얼 채널 절연 GaN 게이트드라이버’ 개발을 담당한다.

회사는 고속 스위칭에 최적화된 게이트 구동 회로와 과전류 검출 기능을 갖춘 절연형 게이트드라이버를 개발할 계획이다. 5A·7A 구동 전류를 지원하는 갈바닉 절연 기술과 2.5kV 이상 내압 패키지 기술을 적용해 높은 신뢰성과 효율을 확보한다는 방침이다.

아이언디바이스는 이번 과제를 통해 확보한 기술을 전기차 온보드 충전기(OBC)와 급속 충전 인프라 시장에 적용하는 한편, 데이터센터용 고효율 전원장치와 DC/DC 컨버터, 태양광 및 에너지저장장치(ESS) 인버터 분야로도 사업 영역을 확대할 계획이다.

최근 전기차와 AI 데이터센터 시장 확대에 따라 기존 실리콘(Si) 대비 전력 효율이 높고 소형화에 유리한 GaN 전력반도체 수요가 빠르게 증가하고 있다. 업계에서는 글로벌 반도체 기업들의 GaN 기반 전력솔루션 개발 경쟁이 치열해지는 가운데, 아이언디바이스도 이번 국책과제를 발판으로 차세대 전력반도체 시장에서 기술 경쟁력을 강화할 것으로 기대하고 있다.

이영식 아이언디바이스 상무는 “외산 의존도가 높았던 GaN 기반 지능형 전력모듈(IPM)을 국내 기술로 내재화한다는 점에서 의미가 크다”며 “게이트드라이버와 보호회로를 하나의 패키지에 통합한 IPM 기술로 고객사의 설계 복잡도를 줄이고 제품 개발 기간도 단축할 수 있을 것”이라고 말했다.