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올해 상하이 증권거래소 커촹판(스타마켓)에 상장한 CXMT는 이번 5세대 공정을 통해 데이터를 저장하는 미세 구조를 한층 밀집시켜 칩당 저장 용량을 늘리는 동시에, 단일 실리콘 웨이퍼에서 생산 가능한 칩 개수도 늘렸다.
CXMT는 칩 내 데이터 저장 부문의 핵심 회로 간격을 11.95nm(나노미터·10억 분의 1미터) 수준까지 줄였다고 밝혔다. 또한 제조 공정을 수차례 반복해 더 미세한 회로 패턴을 형성하는 ‘쿼드러플 패터닝’(SAQP) 공정 기술도 활용했다.
뤄샤오둥 CXMT 부사장은 이날 중국 안후이성 헤페이에서 열린 ‘2026 세계제조업대회’에서 “현재 우리의 공정 역량은 업계 최첨단 양산 공정 마디(노드)와 대등한 수준에 도달했다”고 강조했다.
CXMT는 5세대 공정을 기반으로 제작한 24Gb 용량의 신제품(LPDDR5X) 2종도 함께 공개했다. LPDDR5X는 주로 스마트폰과 휴대용 기기에 사용되는 저전력 D램 규격이다. 회사 측은 해당 제품들이 기존 동급 제품대비 데이터 저장 용량이 50% 향상됐고, 이미 양산에 돌입했다고 밝혔다.
CXMT에 따르면 8Gb 칩 기준으로 이번 공정은 4세대대비 웨이퍼당 총 칩 다이 생산량을 최소 50% 이상 늘릴 수 있다. 이는 최종 검사를 통과한 양품 수율이 아닌, 판정 전 웨이퍼에서 만들어낼 수 있는 잠재적 칩 개수를 의미한다.
이번 5세대 공정을 통한 양산 돌입은 중국 정부가 외국 반도체 기술에 대한 의존도를 낮추기 위해 드라이브를 거는 가운데 이뤄졌다. 앞서 미국은 2022년부터 수출 통제를 통해 중국 첨단 반도체 제조장비 및 관련 소프트웨어 접근을 제한해 왔다.
